FDN337N 封装SOT-23-3 场效应管MOSFET详细内容
描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏较电流(Id):2.2A 功率(Pd):500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@4.5V,2.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA
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